DDR5DRAM为每128位数据设置8位的ECC存储空间，使得On-die ECC具有强大的RAS功能，可以保护存储器 阵列免受单个数位错误的影响。电路板加入PM1C电源芯框架，为高效能的DDR5记忆提供稳定的电源供应， 同时带来电压降至1.1V,低功耗和发热。