美光宣布1γ DRAM开始出货,16Gb DDR5数据传输速率可达 9200MT/s
美光科技股份有限公司推出了一款16Gb DDR5 DRAM,采用全新的1γ(1-gamma)第六代(10 纳米级)DRAM节点制造工艺,并首次使用极紫外光刻(EUV)技术。该款16Gb DDR5产品的数据传输速率可达9200MT/s,与前代产品相比,速率提升高达15%,功耗降低超过20%。美光表示,其1γ DRAM节点计划逐步整合至美光内存产品组合中,以满足AI产业对高性能、高能效内存解决方案日益增长的需求。随着AI在数据中心和端侧设备的普及,用户对内存的需求达到了前所未有的高度。美光迈向1γ DRAM 节点,将助力客户应对亟待解决的核心挑战:基于1γ节点的DRAM能够支持从数据中心到端侧设备...
