铠侠公布第十代BiCS FLASH闪存技术:总层数达332层,接口速度升至4.8Gbps
铠侠(Kioxia)和闪迪(Sandisk)合作,在最近的ISSCC 2025上公布了其第十代BiCS FLASH闪存技术。与上一代产品相比,新款3D NAND闪存的性能提高了33%,位密度、接口速率和功率效率也有所提高。据TomsHardware报道,BiCS10 FLASH 3D NAND闪存采用了CBA(CMOS directly Bonded to Array)技术,将每个CMOS晶圆和单元阵列晶圆单独制造后粘合在一起。这不是什么新鲜事,毕竟在第八代BiCS FLASH闪存技术上就已经这么做了。不过亮点在于,铠侠采用了Toggle DDR6.0接口标准和SCA协议,将NAND I/O接...
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