三星即将发布第10代V-NAND闪存总层数400+,接口速度达5.6Gbps
据TomsHardware报道,三星在最近的ISSCC 2025上展示了即将发布第10代V-NAND闪存,不仅拥有创纪录的有源层数和突破性的性能,而且还首次将COP(Cell-on-Periphery)结构和混合键合技术结合。三星展示的第10代V-NAND属于1Tb的TLC闪存,总层数超过了400层,预计达到420层至430层,接口速度达5.6Gbps,大约是700 MB/s。同时位密度超过了28 Gb/mm²,仅略低于自家的1Tb 3D QLC V-NAND闪存,后者的密度为28.5 Gb/mm²,是目前世界上密度最高的非易失性存储器。位密度很可能不是三星这款新产品的主要目标,关键在于创纪录...
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