中国存储双雄突破232层NAND与DDR5技术,128Gb容量改写全球芯片格局
--- 农历新年伊始,全球半导体行业的目光再次聚焦中国。国际权威分析机构TechInsights在光威DDR5内存与致态TiPro9000固态硬盘的拆解中,首次捕捉到中国存储技术的里程碑式突破——长江存储的Xtacking4.0架构2yy层3D NAND芯片,以及长鑫存储的G4 DDR5颗粒正进入主流消费市场。这些进展不仅刷新了国产存储芯片的技术高度,更在全球供应链中激起了阵阵涟漪。 在NAND闪存领域,长江存储最新量产的232层3D TLC芯片展现出惊人的技术韧性。TechInsights实验室数据显示,该芯片采用独特的双晶圆键合技术,总栅极数达到294层,存储密度突破20Gb/mm²,创造...
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